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IRFB4310ZPBF  与  IPP072N10N3 G  区别

型号 IRFB4310ZPBF IPP072N10N3 G
唯样编号 A-IRFB4310ZPBF A-IPP072N10N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@75A,10V 6.2mΩ
上升时间 - 37ns
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 50S
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 127A 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) 150W
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 19ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4310ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 7,000 对比
STP180N10F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN6R5-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN6R5-80PS_SOT78 N-Channel 210W 175℃ 3V 80V 100A

¥10.7086 

阶梯数 价格
20: ¥10.7086
50: ¥8.7775
0 对比
IPP072N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP072N10N3GXKSA1_100V 80A 6.2mΩ 20V 150W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
PSMN5R6-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100PS_SOT78 N-Channel 306W 175℃ 3V 100V 100A

暂无价格 0 对比

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