IRFB4310ZPBF 与 IPP072N10N3 G 区别
| 型号 | IRFB4310ZPBF | IPP072N10N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB4310ZPBF | A-IPP072N10N3 G |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6mΩ@75A,10V | 6.2mΩ |
| 上升时间 | - | 37ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 68nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 50S |
| 封装/外壳 | TO-220AB | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 127A | 80A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | - | 9ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6860pF @ 50V | - |
| 高度 | - | 15.65mm |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 250W(Tc) | 150W |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | OptiMOS3 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6860pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 19ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4310ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 |
|
STP100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 7,000 | 对比 |
|
|
STP180N10F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
|
STP180N10F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN7R0-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 269W 175°C 3V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPP072N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 6.2mΩ 20V 150W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
